作者：连于慧

　　海力士(Hynix)中国无锡厂19日发生严重停电，该座12英寸晶圆厂从19日下午1点左右开始停电，截至傍晚仍未恢复供电，由于海力士无锡12英寸厂几乎都是以生产DRAM为主，单月产能约10万~12万片，单月DDR2产出约5，000万~6，000万颗(以1Gb计算)，以全球单月DDR2 1Gb产能约5亿颗来看，尽管全数报废可能性极微，业者推测影响产能可能在5％以内，但对于全球供需影响仍相当可观。

　　海力士中国内地无锡厂19日发生意外停电事件，该公司尚未对外说明情况，由于整个无锡工业区半导体厂仅海力士出现停电情况，业界推测意外停电的可能性较大。这次海力士停电事件发生在19日下午1点多，估计连续停电时间至少有4个小时，虽然比起2007年8月三星电子(Samsung Electronics)NAND Flash厂出现大停电1天，算是小巫见大巫，但业界对于此事反应仍相当震惊。

　　海力士无锡厂单月产能10万~12万片，几乎都是以生产DRAM为主，尤其主要都集中在DDR2芯片，目前海力士主要工艺为66纳米，估计此座12英寸厂单月产出5，000万~6，000万颗 1Gb容量芯片。目前全球DDR2单月产出约5亿颗，海力士无锡厂约占全球产能10％，尽管跳电事件不可能全数晶圆都报废，但估计至少影响1~2天产出。

　　内存业者表示，通常晶圆厂在生产在线运作的在制品，至少会有2个月的量，因此，在线产能至少有24万片，停电状况究竟会影响多大范围，真的很难判断，可能只是1~2天产出，但也可能更多。

　　内存业者指出，虽然这次受影响产品以DDR2为主，但未来是否会因为无法满足原承诺给PC OEM客户需求量，而将NAND Flash产能转到DRAM上，仍待观察，但依目前情况来看，海力士在NAND Flash产能已不多，对NAND Flash产能长期影响应有限。

　　海力士2008年似乎流年不利，之前遇到66纳米工艺良率不顺，产出受到影响，NAND Flash事业又因不堪亏损扩大，宣布大幅减产，如今遇上无锡厂跳电事件，恐需要一段时间恢复营运元气。另外，上次三星停电1天后，NAND Flash芯片合约价在一夕间大涨20％，造成下游客户反弹，且亦无法支撑需求强度，这次海力士停电4小时对DRAM产生影响，恐需进一步观察。