据最新消息报道，海力士半导体(Hynix)在66nm DRAM内存生产上遇到了麻烦，生产良率没有达到预期水准。据了解海力士在2007年第四季度引入了66nm技术（目前主流制程是70nm），但该技术未能获得成功，导致一批3000万颗1Gb DDR2内存芯片（注：这批芯片占月输出量的10%）存在严重缺陷。这个情况使得海力士无法满足合同订单，难怪尔必达和三星电子最近宣布涨价。　　

HY颗粒大量应用在内存、显卡、硬盘等等产品身上

　　尽管DRAM合约价格会可能会因此提高，不过现货价格很可能不会同样受益，因为渠道内的存货量相对非常充足，很多厂商都在年初准备了大量存货，以期内存价格回升。所以大家暂时不需要担心内存会在短时间之内暴涨价，但这个情况的确会使得今年暑假旺季的内存价格存在众多变化的因素。