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| 三星大跃进：30nm 64G闪存芯片09年上市 |
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来源：IT168.com
发表日期：2007-10-24
我来说几句
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| 闪存要实现G级存储了，三星近日宣布他们已经开发除了30nm的闪存芯片，目前能够提供64G的存储能力，未来128G的优盘不是梦。
三星计划在2009年将这款产品推向市场，而在今年四月，三星的51nm NAND Flash的8Gb(SLC)和16 Gb MLC容量版本已经量产。
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| 30nm闪存芯片晶圆 |
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| 64G闪存封装 | |
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